電子器件制作設備用高純炭素制品
    生產以回憶芯片為代表的電子器件，要經過多種處理工藝。
    硅片外延處理工序。在此工序中，以硅片為基板，在其外表生成相同的硅單晶的一起，經過摻加不純物而構成p型層或n型層。外延工藝一般以CVD法(化學氣相沉淀)為干流。其設備的概略如圖所示。工藝流程為，用氟酸將硅片清洗，枯燥后，貼置于基座上，然后加熱升溫，通入鹽酸除掉硅片外表的氧化層，生成外延層。基座要求選擇具有不能伴有金屬污染、耐高溫及耐鹽酸腐蝕、不與硅反響、沒有氣體產生等特性的資料。作為能滿足這些要求的資料，一般運用以高純炭素制品為基材，經過CVD法在基材外表進行高純SiC涂層的基座。
    氧化、分散工序。關于硅資料器件而言，這個工序是構成絕緣膜的最重要的工序。構成絕緣膜的辦法有高溫氧化法和CVD法。在單體處理式的等離子體CVD辦法中，高純炭素制品既是等離子體的放電電極，也是硅片的支撐板。其設備概略如圖所示。這兒所運用的資料，相同要求不能運用中伴有金屬污染，并且需具有誘發等離子產生的導電性，以及對反響氣體、電極板清洗氣體的抗腐蝕性。為了解決石墨內部微量不純物的產生問題，有時也運用在外表進行玻璃炭涂層或熱分解涂層，或者浸漬的炭素制品。現在，單體式設備正在逐漸削減，而代之以枚葉式設備